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索尼再现黑科技:将DRAM集成到CMOS传感器

2017-03-04 10:06
Minor昔年
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索尼这几年的手机之路走得并不平坦,不过没有随波逐流,渐渐变得默默无闻。作为黑科技的代名词,索尼在半导体上的造诣可不是一般的强大。可能很多人会觉得索尼没听说在半导体上有哪些重大贡献,但是如果索尼的半导体工厂停工,因为全球的手机CMOS大部分来自索尼。

索尼XZ Prumium

索尼镜头

索尼展示技术

在今年的MWC上,索尼除了带来全新的智能手机之外,他们还带来了全新的三层堆叠式CMOS传感器。据索尼官方介绍,三层堆叠式CMOS传感器是在像素层和信号处理电路之间加入一层DRAM缓存,这一层高速缓存可以突破传统CMOS在图像处速度的瓶颈,将更多的图像信息存放在缓存当中,然后再由图像处理器处理生成图片。索尼介绍称,三层堆叠式CMOS传感器能够连续读取120张193万像素的静态图片(比之前提高了4倍),或者以960fps/1000fps的帧率拍摄1080p视频(比普通传感器提升了8倍),实现真正的超级慢动作回放。

索尼Xperia XZ

在CMOS 中加入DRAM缓存,可以提升CMOS的拍照质素和效果,甚至在食品方面都有长足进步,手机拍照、视频功能也更为强大。不过现在依旧处于早期阶段,要真正应用到手机还需要相当长的时间。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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