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使用Tanner在物联网边缘智能器件设计中融合CMOS IC与MEMS

导读: 实际上,许多IoT边缘器件会在单个封装中集成多个芯片,将电子器件与MEMS设计分开。Tanner AMS IC设计流程支持单芯片或多芯片技术,因而有助于成功实现IoT边缘器件的设计和验证。

简介

创建基于传感器的物联网(IoT)边缘器件会涉及多个设计领域,因此极具挑战性(图1)。但是,在同一硅片上创建一个既有采用传统CMOS IC流程制作的电子器件,又有MEMS传感器的边缘器件似乎不大现实。实际上,许多IoT边缘器件会在单个封装中集成多个芯片,将电子器件与MEMS设计分开。Tanner AMS IC设计流程支持单芯片或多芯片技术,因而有助于成功实现IoT边缘器件的设计和验证。不过,本文将着重介绍在单个芯片上融合CMOS IC与MEMS设计的独特挑战。

使用Tanner在物联网边缘智能器件设计中融合CMOS IC与MEMS

图1:一个典型IoT边缘器件,涉及数字、模拟、射频和MEMS领域

了解设计流程

Tanner设计流程(图2)为AMS IC设计提供了一个完整的环境。

使用Tanner在物联网边缘智能器件设计中融合CMOS IC与MEMS

图2:Tanner AMS设计流程

不过,多年以来,Tanner支持自上而下的MEMS IC流程(图3),能让客户将MEMS设计融入这一流程中。

使用Tanner在物联网边缘智能器件设计中融合CMOS IC与MEMS

图3:自上而下的IC/MEMS流程

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