如无意外的话，三星Galaxy S7将会在2016年第一季度发布，如果你认为如今的S6已经足够强大，那么即将到来的S7应该会让你感到兴奋，而随着如今时间已经步入2015年的尾声，离三星Galaxy S7发布的时间越来越近，网上关于手机的信息也不断增多，下面看看这段时间外界对S7的那些精彩报道。

　　微博用户@科技新一曝光了某部未知手机的零件，并说到“某还没发布的旗舰手机面板，猜猜是哪款手机”。侧面天线的布局似是三星Galaxy S家族系列，要是这样就是未发布的S7了，当然也不排除是其它手机，这方面网友也有争议。

　　从图中可以看到，手机的充电接口和3.5mm耳机插孔都设置在同一侧，造型上看USB接口应该是Type-C，但整个面板似乎都大了一圈。

　　渲染团队3DFuture设计了三星Galaxy S7 Edge的渲染图，而且这并不是他们完全天马行空所想象出来的，而是根据早前三星在美国申请的一个专利制作的。

　　不久之前美国专利商标局（USPTO）曾公布了一份三星所申请的专利文件，该文件描述了一款外观独特的手机，该机的底部和顶部曲面设计，角度转折明显，从侧面看上去像是一个“梯形”，如果这个专利成真的话，如无意外应该就是Galaxy S7 Edge了。

　　外媒放出了疑似三星Galaxy S7 Plus的渲染图，据说跟真机造型一模一样。

　　知名爆料人@Onleaks 联手曝光渲染图的英国网站uswitch，在推特上放出了据称是三星GALAXY S7 Plus的渲染图。根据这几张渲染图我们可以看到，该机的Home键变成了长条形，同时SIM卡槽被移至机身的侧面。

　　在性能上面，定位2016年上半年安卓机型机皇的三星Galaxy S7显然不甘落后。根据业内人士@手机晶片达人透露，说到“新的Galaxy S7主要用了高通的820 ，但也有用了三星自家的Exynos AP，一月就准备开始试产了，新的S7比S6更薄！”。

　　高通820将会回归高通的自主架构设计，其将是高通首款采用自主设计ARM 64位架构的芯片，搭载四个Kryo核心，主频最高能达到2.2GHz，采用更加成熟的三星14nm FinFET LPP工艺生产，功耗和发热都能得到优化。高通820芯片上整合的是Adreno 530，全面支持OpenGL ES 3.1+ AEP、OpenCL 2.0 Full、Vulcan、RenderScript、64位虚拟寻址DirectX 11.2、硬件曲面细分、几何着色器、可编程混合等等。

　　三星顶级芯片Exynos 8890采用14nm工艺，拥有八核物理核心，其中四个为三星自主架构Mongoose（猫鼬），而另外四个为Cortex A53核心。最新的产品Exynos 8890在安兔兔当中的跑分成绩高达103692分，表现不俗。另一方面，在Geekbench网站的纪录当中成绩6908，单核2294。

　　根据美国商标和专利局最新公布的清单显示，三星公司在11月27日获得了名为“Duo Pixel”的设备或服务商标。此前曾有报道称，Galaxy S7正在测试全新的1200万像素1/2英寸相机传感器，而该传感器的像素尺寸要远大于现有主流智能机相机尺寸，并将充分利用双光电二极管技术。这项技术 和佳能的Dual Pixel CMOS AF传感器技术相似，就是在一个像素内放入2个光电二极管，对焦时相当于2个像素，实现传感器相位检测对焦；成像时合并为一个像素，输出成像信号。

　　总结

　　每一年的三星Galaxy S系列都会有一些创新的地方，引领着同时期Android手机的发展（S6家族的拍照性能在今年与新iPhone的差距公认不分伯仲），也是每一代新iPhone都会面临的最强对手，到底真机是怎么样，又会有什么外界没有预料到的黑科技？时间会告诉我们一切。