NANUSENS融资210万美元 开发解决MEMS黏附问题的NEMS器件
据麦姆斯咨询报道,NANUSENS的NEMS(Nano Electro Mechanical Systems)传感器采用标准的CMOS工艺和掩膜技术制造而成。在NANUSENS的工艺中,使用HF蒸汽(vHF)通过钝化层中的焊盘开口蚀刻金属层间介电质(IMD),以获得纳米传感器的传感结构。然后将孔洞密封,根据需要对芯片进行封装。由于该传感器仅采用了标准的CMOS工艺,并且能够直接和所需要的有源电路集成,因此,这款传感器能够获得和CMOS器件一样的高良率。
Nanusens首席执行官Josep Montanya i Silvestre
麦姆斯咨询 编译
Nanusens称,它们的解决方案将传感器设计尺寸降低了一个数量级,从MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)器件1~2um的线性特征尺寸降低到NEMS的0.3um。这使器件微结构的表面积从两个维度上降低了接近两个数量级,因而显著降低了微观引力,解决了MEMS惯性传感器所面临的黏附问题。近期,我们有幸采访了Nanusens首席执行官Josep Montanyà i Silvestre先生。
Q:你们正在研究什么技术?为什么选择这个技术方案?
Josep Montanya i Silvestre:我们正在开发惯性传感器。我们的技术可以采用CMOS工艺生产许多不同类型的NEMS器件。我们之所以选择从惯性传感器开始,主要出于两个原因。首先,是因为基于之前Baolab Microsystems 的研究成果,以及后来在UPC(加泰罗尼亚理工大学)进行的惯性传感器研究,我们在这些研究工作的基础上进行了继续开发。另一个原因,是我们认识到如果我们能够提供客户一直所追求的——低成本或高性能,这将会是一个很好的商机。目前,我们正在朝着这两个方向开发。目前我们开发进度最快的一款器件,具有更低的成本,我们将率先将其推向市场。之后,我们将开发性能更高的产品。再之后,我们会继续开发惯性传感器之外的其它NEMS器件。本质上来说,我们的技术可以利用CMOS工艺来制造器件,这使我们的市场响应更快。
Nanusens开发的NEMS运动传感器
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